Micro-LED Process 기술
Micro-LED Process Technologies
Micro-LED Chip Process Overview
STEP 01
Micro-LED Bonding Machine
Bonding Process
Micro-LED Chip Wafer(Pixel)의 TFT 기판을 부착하는 공정, 일반적으로 ACF,Solder 등을 이용하여 Bonding을 진행
i-Bonding Machine
Specification
| Sample size | 2" ~ 6" |
| Maximum bonding force | 5k ton |
| Bonding type | ACF (Reel & Sheet) |
| Bonding Temp | 300℃ ± 2% |
| Align Accuracy | ±5㎛ |
| Component | Pre-bonding + Post-bonding |
| Wafer loading | Cassette type |
| Press uniformity | ±5㎛ |
STEP 02
Micro-LED Measure / Inspection Machine
특성 측정기
Micro-LED Module Panel의 전기적 특성 및 광 특성 측정 장비
Module Measure & Inspection Machine
Measurement / Inspection Specification
| Item | Specification |
|---|---|
| SpectrometerSpect | 전광속 [JIS C 7801 : 2009 / JIS S 8152 : 2007] |
| 전방사속 (스펙트럼) | |
| Chromaticity [CIE 1960UCS], [JIS Z 8724 : 1997], [CIE 1976UCS] | |
| 색온도 [JIS Z 8725 : 1999] | |
| 점등검사 | Point Dark, Point Bright, Point RGB, Line X/Y 등 |
| Mura (EMD DARK, CM, White, Black, White-Line, Black-Line, Line-X, Line-Y) | |
| 외관검사 | Crack, Scratch, Burnt, Bubble, Dust (Particle), Contamination |
| 적분반구 | 전광속 [JIS C 7801 : 2009 / JIS S 8152 : 2007] |
| 전방사속 (스펙트럼) | |
| Chromaticity [CIE 1960UCS], [JIS Z 8724 : 1997], [CIE 1976UCS] | |
| 색온도 [JIS Z 8725 : 1999] | |
| 주파장 및 자극순도 [JIS Z 8701 : 1999] | |
| 연색지수 (Ra, R1~R15) [JIS Z 8726 : 1990] |